发明名称 制造薄膜电晶体基材之方法
摘要 一闸极绝缘层,一活性层及一数据金属膜被接续地形成在一基材上。一第一光阻图案被形成在该数据金属膜上,该光阻图案在一沟槽形成区域相对于其没有在沟槽形成区域具有一较小的厚度。该数据金属膜及该活性层使用该第一光阻图案被接续地蚀刻。该活性层使用该第一光阻图案被蚀刻。该第一光阻图案使用一包括一六氟化硫气体及一氧气的气体混合物被乾式蚀刻,以形成一具有一开口被形成在该沟槽形成区域上的第二光阻图案。然后该数据金属膜使用该第二光阻图案被蚀刻。乾式,湿式或酸性清除过程被使用在该制造方法中,以降低纵线在该基材中的形成。
申请公布号 TW200820352 申请公布日期 2008.05.01
申请号 TW096116415 申请日期 2007.05.09
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 李德重;金京燮;李庸懿;朴明一;李东振
分类号 H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L21/336(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 韩国