发明名称 | 具多记忆层及多阶记忆态之双稳态电阻式随机存取记忆体之操作方法 | ||
摘要 | 一方法描述用以揭露操作一双稳态电阻式随机存取记忆体具有二个记忆层堆叠串联。此双稳态电阻式随机存取记忆体于每一记忆胞中包含每一记忆胞有两个记忆层堆叠,该双稳态电阻式随机存取记忆体以四种逻辑状态操作,包括逻辑状态「00」、逻辑状态「01」、逻辑状态「10」、逻辑状态「11」。而四个不同逻辑状态下的相互关系可以两变数n及f以及一电阻R以数学式子表示。以数学式子表示逻辑状态「0」为(1+f)R。以数学式子表示逻辑状态「1」为(n+f)R。以数学式子表示逻辑状态「2」为(1+nf)R。以数学式子表示逻辑状态「3」为n(1+f)R。 | ||
申请公布号 | TW200820426 | 申请公布日期 | 2008.05.01 |
申请号 | TW095139867 | 申请日期 | 2006.10.27 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 何家骅;赖二琨;谢光宇 |
分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 祁明辉;林素华 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |