半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体结构,包括一基板,一闸极堆叠于该基板上,一源极/汲极区域邻近该闸极堆叠,一源极/汲极矽化物区域于该源极/汲极区域上,一保护层于该源极/汲极矽化物区域上,其中位于该闸极堆叠上的一区域实质上无该保护层,以及一接触蚀刻停止层(CESL)具一应力于该保护层上,且延伸于该闸极堆叠上。