| 摘要 |
本发明提供一种具有双金属闸极的互补式金属-氧化-半导体(CMOS)元件及其制造方法。上述具有双金属闸极的互补式金属-氧化-半导体元件包括一半导体基板具有一第一型掺杂区域与一第二型掺杂区域,其间隔以一绝缘区。一第一金属闸极堆叠结构位于第一型掺杂区域上。一第二金属闸极堆叠结构位于第二型掺杂区域上。一密封层设置于第一金属闸极堆叠结构与第二金属闸极堆叠结构的侧壁上,其中第一金属闸极堆叠结构包括一介面层、一高介电材料层于介面层上、一第一金属层于高介电材料层层上、一金属介在层于第一金属层上、一第二金属层于金属介在层上、以及一多晶矽层于第二金属层上,以及其中第二金属闸极堆叠结构包括一介面层、一高介电材料层于介面层上、一第二金属层于高介电材料层上、以及一多晶矽层于第二金属层上。 |
