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发明名称
有机导电膜应用于宽能隙半导体欧姆接触结构与制造方法
摘要
一种有机导电膜应用于宽能隙半导体欧姆接触结构与制造方法,其结构系在P型或N型宽能隙半导体上沉积或自旋涂布一特定之有机高分子导电层后,再将电极材料(金属或透明导电膜)沈积覆盖于该有机高分子导电层上,使得载子可以直接经由电极层及有机高分子导电层,而有效注入于宽能隙半导体中,以供降低电极/宽能隙半导体界面接触电阻。再者,其可以降低元件操作电压,以及减少电极/宽能隙半导体界面之焦耳热所造成元件之损耗,进而提升其元件性能。
申请公布号
TW200820470
申请公布日期
2008.05.01
申请号
TW095138901
申请日期
2006.10.20
申请人
国立彰化师范大学
发明人
林佑仲
分类号
H01L51/00(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/10(2006.01)
主分类号
H01L51/00(2006.01)
代理机构
代理人
田国健
主权项
地址
彰化县彰化市进德路1号
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