发明名称 接合基板及基板之接合方法
摘要 本发明提供一种接合基板,其系包括下列构件:第一基板;形成于该第一基板之一面的缓冲膜;形成于该缓冲膜之一面,电阻比该缓冲膜为低之含金属膜;以及接合于该第一基板之另一面的第二基板。
申请公布号 TWI296266 申请公布日期 2008.05.01
申请号 TW093125425 申请日期 2004.08.25
申请人 ?尾计算机股份有限公司 发明人 中村修;竹山启之;寺崎努
分类号 C04B37/04(2006.01);B01J19/00(2006.01) 主分类号 C04B37/04(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;何秋远 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 1.一种接合基板,其系具有下述构件: 属玻璃基板的第一基板; 形成于该第一基板之一面的缓冲膜; 形成于该缓冲膜之一面,电阻比该缓冲膜为低之含 金属膜;以及 接合于该第一基板之另一面的第二基板。 2.如申请专利范围第1项之接合基板,其中在该第一 基板及第二基板中至少一侧形成沟。 3.如申请专利范围第1或2项之接合基板,其中该第 一基板及第二基板系依阳极接合方式所接合。 4.如申请专利范围第1或2项之接合基板,其中该含 金属膜系施加特定电压时会加热。 5.如申请专利范围第1或2项之接合基板,其中该缓 冲膜系由Ta-Si-O系材料所构成。 6.如申请专利范围第1或2项之接合基板,其中该含 金属膜系由Ta-Si-O-N系材料所构成。 7.如申请专利范围第1或2项之接合基板,其中该含 金属膜为比该缓冲膜少1/1,000之薄片电阻。 8.如申请专利范围第1或2项之接合基板,其中该接 合基板为微反应器(micro reactor)。 9.如申请专利范围第1或2项之接合基板,其中该缓 冲膜具有比该含金属膜还宽阔之面积。 10.如申请专利范围第1或2项之接合基板,其中该含 金属膜为具有数个较长部之曲折形状,且在设各较 长部之宽度为LA、各较长部之长度为LB、相邻接之 较长部彼此之间隔为LC、一个较长部的份量之薄 片电阻为Sh、以及由相邻接之较长部彼此间所露 出的该缓冲膜之薄片电阻为Sf时,符合下列关系: Sh(LB/LA)2100<Sf(LC/LB)。 11.如申请专利范围第1或2项之接合基板,其中该含 金属膜为发热电阻膜。 12.如申请专利范围第1或2项之接合基板,其中该缓 冲膜为发热电阻膜,且该含金属膜为配线。 13.如申请专利范围第11项之接合基板,其中又具有 比设置于该发热电阻膜上之该发热电阻膜还低电 阻之配线。 14.如申请专利范围第12项之接合基板,其中该含金 属膜含有金。 15.如申请专利范围第13项之接合基板,其中该含金 属膜含有金。 16.如申请专利范围第1项之接合基板,其中该第一 基板含有Na(钠)。 17.一种接合基板之接合方法,该接合基板系接合数 个基板所构成,该接合方法系在属玻璃基板的第一 基板之特定面所形成的缓冲膜上形成特定图案之 发热电阻膜;使该第一基板以其形成有该缓冲膜及 该发热电阻膜的面之相反面与第二基板抵接;并以 使该第一基板侧成为阴极且使该第二基板侧成为 阳极之方式施加电压,以使该第一基板与该第二基 板作阳极接合。 18.如申请专利范围第17项之接合基板之接合方法, 其中该发热电阻膜为具有数个较长部之曲折形状, 且在设各较长部之宽度为LA、各较长部之长度为LB 、相邻接之较长部彼此之间隔为LC、一个较长部 的份量之薄片电阻为Sh、以及由相邻接之较长部 彼此间所露出的该缓冲膜之薄片电阻为Sf时,符合 下列关系: Sh(LB/LA)2100<Sf(LC/LB)。 19.一种接合基板之接合方法,该接合基板系接合数 个基板所构成,该接合方法系在属玻璃基板的第一 基板之特定面所形成的发热电阻膜形成用以对发 热电阻膜供应电力的特定图案之配线膜;使该第一 基板以其形成有该发热电阻膜及该配线膜的面之 相反面与第二基板抵接;并以使该第一基板侧成为 阴极且使该第二基板侧成为阳极之方式施加电压, 以使该第一基板与该第二基板作阳极接合。 20.一种接合基板之接合方法,该接合基板系接合数 个基板所构成,该接合方法系在属玻璃基板的第一 基板之特定面所形成的缓冲膜上形成发热电阻膜; 在该发热电阻膜表面形成用以对该发热电阻膜供 应电力的特定图案之配线膜;使该第一基板以其形 成有该缓冲膜、该发热电阻膜及该配线膜的面之 相反面与第二基板抵接;并以使该第一基板侧成为 阴极且使该第二基板侧成为阳极之方式施加电压, 以使该第一基板与该第二基板作阳极接合。 21.如申请专利范围第17、18和20项中任一项之接合 基板之接合方法,其中该缓冲膜系由Ta-Si-O系材料 所构成。 22.如申请专利范围第17至20项中任一项之接合基板 之接合方法,其中该含金属膜系由Ta-Si-O-N系材料所 构成。 23.如申请专利范围第21项之接合基板之接合方法, 其中该含金属膜系由Ta-Si-O-N系材料所构成。 图式简单说明: 第1图系经形成将作为凹部的沟之基板立体图。 第2图系沿第1图中(II)~(II)线朝厚度方向切断之剖 面图。 第3图系沿第1图中(III)~(III)线朝厚度方向切断之剖 面图。 第4图系供接合于第1图所示基板之基板的立体图 。 第5图系沿第4图中(V)~(V)线朝厚度方向切断之剖面 图。 第6图系以第4图所示基板之俯视图。 第7图系展示阳极接合之剖面图。 第8图系用以说明作为比较例的作阳极接合时之电 场强度的电场强度分布图。 第9图系展示作为比较例的作阳极接合时的玻璃基 板表面之厚度方向组成图表。 第10图系用以说明作为本发明的作阳极接合时之 电场强度的电场强度分布图。 第11图系展示作为本发明的作阳极接合时的缓冲 膜表面之厚度方向组成图表。 第12图系展示在本发明第二实施例形态之阳极接 合剖面图。 第13图系在第二实施例形态之基板俯视图。 第14图系展示在本发明第三实施例形态之阳极接 合剖面图。 第15图系用以说明在第三实施例形态作阳极接合 时之电场强度的电场强度分布图。 第16图系适用经本发明之阳极接合的微反应器之 发电系统方块图。 第17图系展示发电系统内之发电模组剖面图。 第18图系发电系统立体图。
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