| 主权项 |
1.一种半导体发光元件,其活性层中所具有之井层, 含有至少含镓(Ga)、砷(As)及氮(N)之化合物半导体, 其特征为: 上述活性层中之氢(H)杂质浓度为31019 cm-3以下,且 上述活性层中之铝(Al)杂质浓度为11018 cm-3以下; 或,上述活性层中之氢杂质浓度为1.51018 cm-3以下, 且上述活性层中之铝杂质浓度为41018 cm-3以下。 2.如请求项1之半导体发光元件,其中上述活性层具 有单一量子井结构或多重量子井结构,其包括含Ga1 -xInx NyAs1-y-zSbz混晶(0≦<1、0<y<1、0≦z<1、0<y+z<1)之 井层。 3.如请求项1之半导体发光元件,具有包含井层与阻 障层之多重量子井结构,且前述阻障层之单层厚度 介于1 nm以上、8 nm以下之范围内。 4.一种半导体发光元件之制造方法,其系制造活性 层中所具有之井层含有至少含镓(Ga)、砷(As)及氮(N )之化合物半导体,其特征为: 上述活性层形成之际,系利用有机氮化物作为氮原 料,使该有机氮化物之流量为135 cm3/min以下,而使活 性层中之氢(H)杂质浓度达到31019 cm-3以下。 5.如请求项4之半导体发光元件制造方法,其中氮原 料系由包含二甲基联胺、单甲基联胺以及第三丁 基联胺之群组中选用至少1种。 6.如请求项4之半导体发光元件制造方法,其中于上 述活性层形成前通入对铝具反应性之气体,使活性 层中之铝(Al)杂质浓度为11018 cm-3以下。 7.如请求项6之半导体发光元件制造方法,其中对铝 具反应性之气体系由包含二甲基联胺、氨以及氮 自由基之群组中选用至少1种。 8.如请求项6之半导体发光元件制造方法,其中对铝 具反应性之气体系于IIIA族元素之原料停止供应的 状态下,与VA族元素之原料一起供给。 9.一种具备半导体发光元件之光学模组,其中前述 半导体发光元件,系活性层中所具有之井层,含有 至少含镓(Ga)、砷(As)及氮(N)之化合物半导体,其特 征为: 上述活性层中之氢(H)杂质浓度为31019 cm-3以下,且 上述活性层中之铝(Al)杂质浓度为11018 cm-3以下; 或,上述活性层中之氢杂质浓度为1.51018 cm-3以下, 且上述活性层中之铝杂质浓度为41018 cm-3以下。 图式简单说明: 图1所示为本发明其中之一实施方式相关之半导体 雷射构成范例之剖面图。 图2为图1所示之活性层中氢浓度与寿命之关系特 性图。 图3为图1所示之活性层中铝浓度与寿命之关系特 性图。 图4为图1所示之活性层中氢浓度与发光强度之关 系特性图。 图5为图1所示之阻障层厚度与寿命之关系特性图 。 图6为图1所示之井层形成之际二甲基联胺流量与 井层中氢浓度之关系特性图。 图7为图1所示之活性层形成之际成膜温度与活性 层中氢浓度之关系特性图。 图8为具有图1所示之半导体雷射的光学模组之构 造图示。 图9为本发明之其他半导体雷射构造之剖面图。 |
