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1.一种场发射有机发光二极体显示器,其系一具透 光性的玻璃基板设有一阳极铟锡氧化物ITO电极,该 阳极铟锡氧化物ITO电极上设有一有机EL发光层,该 有机EL发光层系替代场发射显示器的无机萤光膜, 其对向搭配以场发射电子方式或热发射电子方式 提供稳定电子源的电子放射阴极,俾达提供使用者 一种结构少、成本低、亮度高、低耗能,及使用寿 命长的高效能场发射有机发光二极体显示器。 2.依申请专利范围第1项所述之一种场发射有机发 光二极体显示器,其中,该场发射有机发光二极体 显示器设有一电子倍增器,该电子倍增器所设之孔 洞布设有二次电子发生材料,又该电子倍增器系配 置于一阴极与有机EL发光层之间,俾藉阴极发射出 来的一次电子经过电子倍增器之孔洞时,冲击二次 电子发生材料,以增加注入有机EL发光层的二次电 子量。 3.依申请专利范围第1项所述之一种场发射有机发 光二极体显示器,其中,该有机EL发光层上系涂布有 二次电子发生材料。 4.依申请专利范围第1、2或3项所述之一种场发射 有机发光二极体显示器,其中,该有机EL发光层之结 构系由阳极铟锡氧化物ITO电极上,依序以电洞注入 层、电洞传输层及二次电子发生材料积层覆设形 成。 5.依申请专利范围第1、2或3项所述之一种场发射 有机发光二极体显示器,其中,该有机EL发光层之结 构系可为由阳极铟锡氧化物ITO电极上,依序以电洞 注入层、电洞传输层、发光层、电子注入层、二 次电子发生材料及金属裱背积层覆设形成。 6.依申请专利范围第1、2或3项所述之一种场发射 有机发光二极体显示器,其中,该有机EL发光层之有 机材料和发光层的形态改变时,其发光色彩系会随 之变更。 7.依申请专利范围1、2或3所述之一种场发射有机 发光二极体显示器,其中,该有机EL发光层上涂布有 金属裱背,可由阳极铟锡氧化物ITO电极与金属裱背 之间所施加电压予以调节发光之亮度。 8.依申请专利范围1、2或3所述之一种场发射有机 发光二极体显示器,其中,该电子源的电子放射元 件,可为热电子源的阴极,或者冷电子源的阴极,例 如奈米碳管型式(CNT),史匹德(spindt)型式,PN型式,表 面发射(surface emission)型式等任一可以使用之型式 。 9.依申请专利范围第2项所述之一种场发射有机发 光二极体显示器,其中,该电子倍增器,可采取金属 通道型式(metal channel)、箱型式(box)、线聚焦型式( line focus)、网状型式(mesh)及MPC型式等任一型式。 10.依申请专利范围第2项所述之一种场发射有机发 光二极体显示器,其中,该电子倍增器的二次电子 发生材料,可采取铜铍合金Cu-Be或者银镁合金Ag-Mg 。 11.依申请专利范围第3项所述之一种场发射有机发 光二极体显示器,其中,该有机EL发光层的二次电子 发生材料,可采取铍Be、镁Mg及钙Ca等氧化金属。 12.依申请专利范围第1项所述之一种场发射有机发 光二极体显示器,其中,该有机EL发光层上配有二次 电子发生材料或者配有金属裱背之阴极,使其形成 可以另加电压之有机发光二极体显示器。 图式简单说明: [图一]本发明实施例之一的概略图。 [图二]本发明之阳极构造的概略剖面图。 [图三]本发明的有机EL发光层使用真空蒸着机蒸镀 有机材料的装置示意概略图。 [图四]本发明的发光真空测定装置。 [图五]本发明之发光特性。 [图六]本发明之显示元件发光原理的实验例、(1) 设备的概略图、(2)发光原理图。 [图七]本发明的显示元件和有机EL显示器的发光亮 度与发光效率的比较图。 [图八]本发明其他实施例的概略图。 [图九]本发明其他实施例的概略图。 [图十]本发明的电子增倍器、(1)斜视图、(2)剖面 图。 [图十一]其他电子增倍器的剖面图。 [图十二]其他电子增倍器的剖面图。 [图十三]其他电子增倍器的剖面图、(1)一部切除 的斜视图、(2)剖面图。 [图十四]其他电子增倍器的剖面图、(1)剖面图、(2 )扩大剖面图。 [图十五]本发明发光层的能带图。 |
