| 摘要 |
本发明揭示一种形成一半导体装置之细微图案之方法。该方法包括在一基板上形成一蚀刻薄膜,在该蚀刻薄膜上形成一保护薄膜,在该保护薄膜上形成一硬式光罩层,及在该硬式光罩层上形成以一第一间距为特征之复数个第一光罩图案。该方法进一步包含形成复数个第二光罩图案,藉由使用该等第一光罩图案及该等第二光罩图案作为一蚀刻光罩蚀刻该硬式光罩层来形成暴露该保护薄膜之部分的硬式光罩图案,及移除该等第一光罩图案及该等第二光罩图案。该方法又进一步包含暴露该蚀刻薄膜之部分及藉由使用至少该等硬式光罩图案作为一蚀刻光罩蚀刻该蚀刻薄膜来形成以一等于该第一间距之一半的第二间距为特征的复数个细微图案。 |
