发明名称 薄膜电晶体及其制造方法
摘要 一种薄膜电晶体,其包括一基板、一第一缓冲层、闸极、闸绝缘层、通道层、源极及汲极。第一缓冲层配置基板上,且第一缓冲层为一矽化物。闸极覆盖第一缓冲层的一部分。此闸极包括第一铝金属层及第一保护层,其中第一保护层配置于第一铝金属层上。闸绝缘层覆盖闸极,且通道层配置于闸极上方的部分闸绝缘层上。源极及汲极配置于通道层上并互相分隔,且源极及汲极包括第二缓冲层、第二铝金属层及第二保护层。第二铝金属层配置于第二缓冲层上,且第二保护层配置于第二铝金属层上。因此,此薄膜电晶体具有较佳的可靠度。
申请公布号 TW200820444 申请公布日期 2008.05.01
申请号 TW095139752 申请日期 2006.10.27
申请人 中华映管股份有限公司 发明人 杨其燃;张秀郁;李育舟;吴英明
分类号 H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 台北市中山区中山北路3段22号