发明名称 薄膜电晶体的制造方法及其结构
摘要 一种薄膜电晶体的制造方法及其结构,利用基板背面或制作罩幕,并以背面曝光的方式,制作电晶体的闸极与源极/汲极。源极与汲极可自动对准于闸极图案。利用此种曝光方式,可以避免在绝缘层高温制程后热胀冷缩所造成对位偏移的问题。背面罩幕已先行制作在基板上,会随着基板热胀冷缩而偏移,使制程简单化。由于可使闸极与源极/汲极精确对准,所以可以降低寄生电容,并避免面板有闪烁的情况发生。
申请公布号 TW200820443 申请公布日期 2008.05.01
申请号 TW095139509 申请日期 2006.10.26
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 王怡凯;黄良莹;胡堂祥;沈裕渊
分类号 H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号