发明名称 | 薄膜电晶体的制造方法及其结构 | ||
摘要 | 一种薄膜电晶体的制造方法及其结构,利用基板背面或制作罩幕,并以背面曝光的方式,制作电晶体的闸极与源极/汲极。源极与汲极可自动对准于闸极图案。利用此种曝光方式,可以避免在绝缘层高温制程后热胀冷缩所造成对位偏移的问题。背面罩幕已先行制作在基板上,会随着基板热胀冷缩而偏移,使制程简单化。由于可使闸极与源极/汲极精确对准,所以可以降低寄生电容,并避免面板有闪烁的情况发生。 | ||
申请公布号 | TW200820443 | 申请公布日期 | 2008.05.01 |
申请号 | TW095139509 | 申请日期 | 2006.10.26 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 王怡凯;黄良莹;胡堂祥;沈裕渊 |
分类号 | H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |