| 摘要 |
本发明系提高具有非挥发性记忆体构造之半导体装置的电性特性。本发明系藉由自半导体基板1之主表面上依序层积由氧化矽膜形成之绝缘膜2B1、由氮化矽膜形成之绝缘膜2B2、由含氧之氮化矽膜形成之绝缘膜2B3以及由氧化矽膜形成之绝缘膜2B4,而形成绝缘闸极场效电晶体构成之非挥发性记忆体单元MC2的电荷保持层即闸极绝缘膜2。对电荷保持层(绝缘膜2B2)注入电洞系自闸极电极3侧进行。藉此,可使与通道连接之界面及绝缘膜2B1不通过电洞而使之动作,因此不会因绝缘膜2B1之劣化而引起耐重写性及电荷保持特性的劣化,而可实现高效率之重写(写入/抹除)特性以及稳定之电荷保持特性。 |
