| 发明名称 | 多晶硅化金属栅极结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是指一种多晶硅化金属栅极结构及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：(a)提供一基板；(b)分别形成一多晶硅层及一硅化金属层于该基板上方；(c)去除部份的该硅化金属层，藉以限定一硅化金属结构；(d)形成一保护层于该多晶硅层上，并覆盖住该硅化金属结构；(e)去除该保护层与该多晶硅层及该硅化金属结构接触的水平部份，以形成一保护结构；(f)去除未被该硅化金属结构及该保护结构所覆盖的该多晶硅层，藉以限定一多晶硅结构；以及(g)氧化该多晶硅结构，使该多晶硅结构的侧面形成一绝缘结构。 | ||
| 申请公布号 | CN100385625C | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
| 申请号 | CN200410039968.1 | 申请日期 | 2004.03.15 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 刘汉兴 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种多晶硅化金属栅极的制造方法，该制造方法包括下列步骤：(a)提供一基板；(b)分别形成一多晶硅层及一硅化金属层于该基板上方；(c)去除部份的该硅化金属层，藉以限定一硅化金属结构；(d)形成一保护层于该多晶硅层上，并覆盖住该硅化金属结构；(e)去除该保护层与该多晶硅层及该硅化金属结构接触的水平部份，以形成一保护结构；(f)去除未被该硅化金属结构及该保护结构所覆盖的该多晶硅层，藉以限定一多晶硅结构；以及(g)氧化该多晶硅结构，使该多晶硅结构的侧面形成一绝缘结构，其中该绝缘结构和该保护结构由不同的材料构成。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区研新三路4号 | ||