| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种简化工艺并减少制造成本的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。在薄膜晶体管阵列基板中，栅线形成在基板上，栅绝缘层形成在栅线上。数据线以与栅线相交的方式设置，其间具有栅绝缘层，该数据线包含硅化钨(WSi<SUB>x</SUB>)、硅化钴(CoSi<SUB>x</SUB>)或硅化镍(NiSi<SUB>x</SUB>)的至少之一。薄膜晶体管设置在栅线和数据线之间的每个交点处。像素电极设置在由栅线和数据线之间的每个交点限定的像素区域处并连接到薄膜晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN100385672C | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
| 申请号 | CN200510077768.X | 申请日期 | 2005.06.24 |
| 申请人 | LG.菲利浦LCD株式会社 | 发明人 | 李洪九;朴权植 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01);G02F1/1362(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;祁建国 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：形成在基板上的栅线；形成在所述栅线上的栅绝缘层；与所述栅线相交叉的数据线，其间具有所述栅绝缘层，该数据线包含硅化钨、硅化钴或硅化镍的至少之一；设置在所述栅线和数据线之间的每个交叉点处的薄膜晶体管；和设置在由栅线和数据线之间的每个交叉点所限定的像素区域处并连接到所述薄膜晶体管的像素电极。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||