| 发明名称 | 硅晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种硅晶片的制造方法，包括：硅结晶制造工序，以进入无外延缺陷区域(α2)内的方式，对硅结晶中的硼浓度和生长条件V/G进行控制，制造硅结晶，其中，所述无外延缺陷区域(α2)，是在硅晶片基板中无缺陷且在外延生长层中无缺陷的无缺陷区域，并且其将硅结晶中的硼浓度为1×10<SUP>18</SUP>atoms/cm<SUP>3</SUP>以上且随着硼浓度的上升而使生长速度V渐渐降低的线作为下限线(LN1)。另一种硅晶片的制造方法，以至少含有在硅晶片基板上出现OSF即氧化诱生层错缺陷且在外延生长层中出现缺陷的外延缺陷区域(β1)的方式，对硅结晶中的硼浓度和生长条件V/G进行控制的同时，以使OSF核不显现化为OSF的方式，控制硅结晶的热处理条件和硅结晶中的氧浓度。再另一种硅晶片的制造方法，以处于在硅晶片基板中出现空位缺陷且在外延生长层中成无缺陷的无外延缺陷区域(α1)内的下限线(LN3)附近的方式，对硅结晶中的硼浓度和生长条件V/G进行控制，制造硅结晶。 | ||
| 申请公布号 | CN100385046C | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
| 申请号 | CN200380102309.1 | 申请日期 | 2003.10.31 |
| 申请人 | 小松电子金属股份有限公司 | 发明人 | 前田进;稻垣宏;川岛茂树;黑坂升荣;中村浩三 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01);C30B15/04(2006.01);C30B15/22(2006.01);H01L21/322(2006.01) | 主分类号 | C30B29/06(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种硅晶片的制造方法，其特征在于，包括：硅结晶制造工序，以进入无外延缺陷区域(α2)内、且不进入外延缺陷区域(β2)的方式，将由所述无外延缺陷区域(α2)的下限线(LN1)表示的硅结晶中的硼浓度和生长条件V/G之间的一定关系作为边界条件，对硅结晶中的硼浓度和生长条件V/G进行控制，制造硅结晶，这里V表示生长速度、G表示结晶的轴方向温度梯度，其中，所述无外延缺陷区域(α2)是在硅晶片基板中无缺陷且在外延生长层中无缺陷的无缺陷区域，并且其将硅结晶中的硼浓度为1×1018atoms/cm3以上且随着硼浓度的上升而使生长速度V渐渐降低的线作为下限线(LN1)，所述外延缺陷区域(β2)是在硅晶片基板上出现位错环团簇并在外延生长层中出现缺陷的外延缺陷区域，并且以所述下限线(LN1)作为上限线；硅晶片基板获取工序，从所述硅结晶获取硅晶片基板；外延生长工序，在所述硅晶片基板上形成外延生长层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||