| 发明名称 | 双稳态可编程电阻式随机存取存储器 | ||
| 摘要 | 一双稳态可编程电阻式随机存取存储器包括多个存储单元，每个存储单元具有多个存储层堆叠。每个存储层堆叠包括导电层，位于可编程电阻式随机存取存储层上。第一存储层堆叠位于第二存储层堆叠上，且第二存储层堆叠位于第三存储层堆叠上。第一存储层堆叠具有第一导电层，位于第一可编程电阻式随机存取存储层上。第二存储层堆叠具有第二导电层，位于第二可编程电阻式随机存取存储层上。第二可编程电阻式随机存取存储层所具有的存储面积较第一可编程电阻式随机存取存储层所具有的存储面积大。 | ||
| 申请公布号 | CN101170121A | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
| 申请号 | CN200710153723.5 | 申请日期 | 2007.09.14 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 何家骅;赖二琨 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01);H01L21/82(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | H01L27/24(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种存储装置，包括：第一导电构件，位于第一可编程电阻式随机存取存储构件上，该第一可编程电阻式随机存取存储构件具有表示第一电阻值的面积，该第一导电构件及该第一可编程电阻式随机存取存储构件皆具有数个侧边；及第二导电构件，位于第二可编程电阻式随机存取存储构件上，该第一可编程电阻式随机存取存储构件位于该第二导电构件上，该第一可编程电阻式随机存取存储构件与该第二可编程电阻式随机存取存储构件串联，该第二可编程电阻式随机存取存储构件具有表示第二电阻值的面积，该第二可编程电阻式随机存取存储构件所具有的面积大于该第一可编程电阻式随机存取存储构件所具有的面积。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||