包括薄膜电路元件的电子器件及其制造方法

摘要

在诸如有源矩阵显示器的电子器件的制造中，将垂直非晶PIN光电二极管或类似的薄膜二极管(D)有利地与多晶硅TFT(TFT1、TFT2)以如此方式集成，以便于允许各个TFT和二极管特性的最优化程度，同时与显示器的复杂像素环境相兼容。在沉积二极管的有源半导体膜(40)之前，执行使TFT的有源半导体膜(10)比二极管的有源半导体膜(40)更多结晶、且用于形成TFT的源极和漏极掺杂区(s1、s2、d1、d2)的高温工艺。其后，通过蚀刻来限定二极管的横向宽度，同时用蚀刻停止膜(30)保护互连膜(20)，其可以提供二极管的掺杂底部电极区(41)以及TFT的其中一个掺杂区(s2、g1)。

主权项

1.一种制造包括薄膜电路元件的电子器件的方法，该薄膜电路元件包括与结晶薄膜晶体管(TFT)集成的二极管(D)，该晶体管在比二极管的有源半导体膜(40)更多结晶的有源半导体膜(10)中具有沟道区域(1)，其中，该方法包括：(a)采用包含第一处理温度的第一工艺，在电路基板(100)上形成晶体管的结晶有源半导体膜(10)；(b)采用包含第二处理温度的第二工艺，在沟道区域(1)的端部形成晶体管的掺杂源极和漏极区(s1、s2、d1、d2)；(c)在晶体管的电极区域(s1，d1，g1，s2，d2，g2)与其上将要形成二极管(D)的二极管区域之间提供互连膜(20)，并提供蚀刻停止膜(30)，用于二极管的有源半导体膜(40’)将要沉积于该蚀刻停止膜上；(d)其后采用包含第三处理温度的第三工艺，在互连膜(20)和蚀刻停止膜(30)上沉积用于二极管的有源半导体膜(40’)，且第一和第二处理温度高于第三处理温度；和(e)其后从蚀刻停止膜(30)上蚀刻掉用于二极管的有源半导体膜(40’)，以在二极管区域中的互连膜(20)上留下用于二极管(D)的有源半导体膜(40)。