| 发明名称 | MEMS器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种MEMS器件，该MEMS器件可以减少MEMS结构体和半导体基板之间的寄生电容。MEMS器件(1)具备MEMS结构体(30)，该MEMS结构体(30)具有隔着绝缘层形成在半导体基板(10)上的固定电极20和可动电极(26)，在固定电极(20)的下方的半导体基板(10)上形成有阱(13)，当固定电极(20)被施加正的电压时，阱(13)是p型阱。另外，对阱(13)施加电压以使阱(13)成为耗尽状态。该电压为使阱(13)维持耗尽状态的电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101168434A | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
| 申请号 | CN200710181944.3 | 申请日期 | 2007.10.17 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 渡边徹;佐藤彰;稻叶正吾;森岳志 |
| 分类号 | B81B7/00(2006.01);H01L27/00(2006.01) | 主分类号 | B81B7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 党晓林 |
| 主权项 | 1.一种MEMS器件，该MEMS器件具备MEMS结构体，该MEMS结构体具有隔着绝缘层形成在半导体基板上的固定电极和可动电极，其特征在于，在上述固定电极的下方的上述半导体基板上形成有阱，在对上述固定电极施加正电压的情况下，上述阱为p型阱；在对上述固定电极施加负电压的情况下，上述阱为n型阱。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||