发明名称 | 多入口原子层沉积反应器 | ||
摘要 | 公开了一种反应器(200),其配置用于使衬底经历交替重复的气相反应物的表面反应。反应器包括反应室、多个入口(210,212)和排出口(220)。反应室包含反应空间(251)。反应器也包括反应室内的气体流动控制引导结构(205)。气体流动控制引导结构(205)位于反应空间(251)上方,并且处于多个入口(210,212)和反应空间之间。气体流动控制引导结构(205)包含多个通道(210,212),并且每个通道从入口之一延伸到反应空间的上游外缘。随着通道从入口延伸到反应空间(251)时,每个通道逐渐变宽。反应器还包括反应空间(251)内的衬底架(260)。 | ||
申请公布号 | CN101171365A | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
申请号 | CN200680015719.6 | 申请日期 | 2006.05.04 |
申请人 | ASM吉尼泰克韩国株式会社 | 发明人 | 金大渊;李政镐;刘龙珉 |
分类号 | C23C16/00(2006.01) | 主分类号 | C23C16/00(2006.01) |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡胜有;刘继富 |
主权项 | 1.一种原子层沉积(ALD)反应器,其包括:反应室,其包含反应空间;多个入口;排出口;位于所述反应空间上方的气体流动控制引导结构,所述气体流动控制引导结构夹在所述多个入口和所述反应空间之间,所述气体流动控制引导结构包含多个通道,所述多个通道的每一个从相应的所述多个入口之一延伸到所述反应空间外缘的第一部分,随着所述通道从所述入口向所述反应空间延伸,所述多个通道的每一个变宽;和衬底架,设置所述衬底架以将支承的衬底暴露于所述反应空间。 | ||
地址 | 韩国大田广域市 |