发明名称 半导体集成电路装置的制造方法
摘要 本发明提供一种半导体集成电路装置的制造方法,在使用根据半导体集成电路装置的制造技术而形成的薄膜探针来进行探针检测时,可以降低异物附着到薄膜探针上的可能性。用于按压薄片的按压具是由以凹部承接柱塞的按压销前端的相对处在上部的按压销承接部9C、与相对处在下部的薄片按压部9D所形成的,在与薄片接触的薄片按压部9D能够按压作为探针检测对象的一个芯片CHP1的整个面的范围内,使薄片按压部9D的平面尺寸尽可能地最小。
申请公布号 CN101170073A 申请公布日期 2008.04.30
申请号 CN200710163385.3 申请日期 2007.10.19
申请人 株式会社瑞萨科技 发明人 长谷部昭男;本山康博;成塚康则;中村清吾
分类号 H01L21/66(2006.01);H01L21/82(2006.01);G01R1/073(2006.01);G01R31/26(2006.01) 主分类号 H01L21/66(2006.01)
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人 刘国伟
主权项 1.一种半导体集成电路装置的制造方法,其特征在于包括:(a)准备半导体晶圆的步骤,所述半导体晶圆被划分为多个芯片区域,在所述多个芯片区域的每个中形成有半导体集成电路,且在主面上形成有与所述半导体集成电路电连接的多个第一电极;(b)准备第一卡的步骤,所述第一卡具有第一布线基板、第一薄片以及按压机构,所述第一布线基板上形成有第一布线,所述第一薄片上形成有用以与所述多个第一电极接触的多个接触端子、及与所述多个接触端子电连接的多个第二布线,且所述多个第二布线与所述多个第一布线电连接,所述多个接触端子的前端与所述半导体晶圆的所述主面相向,所述第一薄片保持在所述第一布线基板上,所述按压机构从背面侧按压所述第一薄片中形成有所述多个接触端子的第一区域;以及(c)使所述多个接触端子的所述前端与所述多个第一电极接触以对所述半导体集成电路进行电性检测的步骤;其中,所述按压机构由第一按压部与位于所述第一按压部下方且与所述第一薄片相向的第二按压部所形成,所述第二按压部的平面尺寸相对小于所述第一按压部的平面尺寸,所述按压机构利用所述第二按压部与所述第一薄片接触。
地址 日本东京