薄膜晶体管数组基板结构及其工艺

摘要

本发明是一种薄膜晶体管数组基板结构及其工艺，主要是将画素电极与门极电极于第一道光罩工艺步骤中完成，之后配合第二至四道光罩工艺分别将非硅层/掺杂非晶硅层、第二金属层及保护层予以完成，而构成一个薄膜晶体管面板；藉此，本发明确实能仅藉由一般半导体黄光工艺的四道光罩工艺，来实现薄膜晶体管数组基板，不仅能简化工艺步骤外，更能有效减少工艺成本。

主权项

1.一种薄膜晶体管数组基板工艺，其特征在于：包含下列步骤：依序沉积一透明电极层及一第一金属层于一基板上；使用第一道光罩工艺，将基板上的透明电极层及第一金属层形成多数个画素区域、多数个栅极电极及多数个储存电容的第一电极；依序沉积一绝缘层、一非晶硅层及一掺杂非晶硅层；使用第二道光罩工艺，将该绝缘层、该非晶硅层及该掺杂非晶硅层形成多数个通道区、多数个储存电容的介电层、多数个焊垫电极及多数个画素电极；沉积一第二金属层；使用第三道光罩工艺，将第二金属层形成多数个源极电极、多数个漏极电极及多数个储存电容的第二电极，该些漏极电极及第二电极电性连接至对应画素电极，而该源极电极和漏极电极之间的掺杂非晶硅层也被蚀刻断开；及沉积一保护层后再使用第四道光罩工艺，藉以去除该些焊垫电极上的该保护层。