| 发明名称 | 硅锗外延层的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种硅锗外延层的制造方法。此方法包括：先于第一条件下进行第一选择性外延成长工艺，其进行时间占硅锗外延层总工艺时间的1％～20％。然后，于第二条件下进行一第二选择性外延成长工艺，其进行时间占硅锗外延层总工艺时间的99％～80％。其中，第一条件与第二条件包括温度条件或压力条件，且第一选择性外延成长工艺与第二选择性成长工艺各自所使用的反应气体至少包括含硅气体与含锗气体。 | ||
| 申请公布号 | CN101170060A | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
| 申请号 | CN200610132096.2 | 申请日期 | 2006.10.24 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 江日舜;施泓林;唐力原;蒋天福;范铭棋;廖晋毅;简金城 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);C23C16/00(2006.01);C23C16/54(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种硅锗外延层的制造方法，该方法包括：于第一条件下进行第一选择性外延成长工艺，其进行时间占该硅锗外延层的总工艺时间的1％～20％；以及于第二条件下进行第二选择性外延成长工艺，其进行时间占该硅锗外延层的总工艺时间的99％～80％，其中，该第一条件与该第二条件包括温度条件或压力条件，且该第一选择性外延成长工艺与该第二选择性成长工艺各自所使用的反应气体至少包括含硅气体与含锗气体。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||