| 发明名称 | 具有电荷陷捕层的非易失性存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非易失性存储器件及其制造发方法。该非易失性存储器件包括：基板；在该基板上的穿隧层；在该穿隧层上包括化学计量配比氮化硅层及富硅氮化硅层的电荷陷捕层；在该电荷陷捕层上的阻隔层；以及在该阻隔层上的控制栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101170135A | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
| 申请号 | CN200710162977.3 | 申请日期 | 2007.10.09 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 周文植;梁洪善;严在哲;皮升浩;李升龙;金容漯 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01);H01L29/51(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L29/792(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波;彭久云 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储器件，包括：基板；在所述基板上方的穿隧层；在所述穿隧层上包括化学计量配比氮化硅层及富硅氮化硅层的电荷陷捕层；在所述电荷陷捕层上方的阻隔层；以及在所述阻隔层上方的控制栅电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||