| 发明名称 | 垫重分布层与铜垫重分布层的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种垫重分布层与铜垫重分布层的制造方法，所述垫重分布层的制造方法，包括：提供一基底，其上具有为一第一保护层所露出的至少一接垫；顺应地形成一扩散阻障层以及一晶种层于该第一保护层与该接垫上；形成一图案化掩膜层于该晶种层上，以露出电性连结于该接垫的一部分该晶种层；形成一金属层于为该图案化掩膜层所露出的该晶种层上；形成一牺牲层于该金属层与该图案化掩膜层上；移除该图案化掩膜层及其上的牺牲层，以露出该图案化掩膜层下方的该晶种层，并余留该牺牲层于该金属层上；移除为该金属层所露出的该晶种层及其下的该扩散阻障层，残留的该牺牲层以形成一垫重分布层。借由本发明可形成高速度与良好表现的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN100385642C | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
| 申请号 | CN200510002427.6 | 申请日期 | 2005.01.21 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郑嘉仁;游秀美;曾立鑫;林孜翰;吴庆强;罗俊彦;黄立全;苏竟典 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L23/48(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种垫重分布层的制造方法，其特征在于所述垫重分布层的制造方法包括下列步骤：提供一基底，其上具有为一第一保护层所露出的至少一接垫；顺应地形成一扩散阻障层以及一晶种层于该第一保护层与该接垫上；形成一图案化掩膜层于该晶种层上，以露出电性连结于该接垫的一部分该晶种层；形成一金属层于为该图案化掩膜层所露出的该晶种层上；形成一牺牲层于该金属层与该图案化掩膜层上；移除该图案化掩膜层及其上的牺牲层，以露出该图案化掩膜层下方的该晶种层，并余留该牺牲层于该金属层上；以及移除为该金属层所露出的该晶种层及其下的该扩散阻障层，以及残留的该牺牲层以形成一垫重分布层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||