| 发明名称 | 闪存制造工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种闪存制造工艺方法，在现有闪存工艺步骤中，浮栅多晶淀积之后，其浮栅表面生长一层厚度为20～50薄氧化膜。本发明能够有效控制局部氧化的鸟嘴形状，扩大工艺窗口，有利于浮栅尖角的控制以及稳定性，均匀性，可提高整个芯片的擦写性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101170082A | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
| 申请号 | CN200610117431.1 | 申请日期 | 2006.10.23 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 杨斌;龚新军;李铭 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1.一种闪存制造工艺方法，包括以下步骤：隔离区/有源区形成；高压晶体管，存储单元阱注入；浮栅栅氧化；浮栅多晶淀积；氮化硅淀积；浮栅局部氧化；浮栅刻蚀；残余氧化层湿法腐蚀干净；高压栅氧/隧穿氧化层形成，其特征在于：浮栅多晶淀积步骤之后，浮栅表面生长一层薄氧化膜。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||