| 发明名称 | 中子检测装置和中子成像传感器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可通过简单的装置结构变更来设定灵敏度和时间分辨能力的中子检测装置。具备多个中子检测元件部，该中子检测元件部具有：超导元件(20)，其具有至少一个表面由电介质材料(11)形成的基体材料(10)、在表面上形成的超导材料的带状线(2)、以及在带状线(2)的两端部分形成的电极部(1)；电阻测定单元，利用带状线(2)的电阻值的变化来测定因带状线(2)中的超导元素与中子的核反应引起的发热；以及散热设定单元(5)，在与形成有带状线(2)的表面相反一侧的基体材料的背面部，设定由核反应引起的发热的散热性，在中子检测元件部之间，使散热性互不相同。 | ||
| 申请公布号 | CN101171530A | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
| 申请号 | CN200680015600.9 | 申请日期 | 2006.03.03 |
| 申请人 | 独立行政法人科学技术振兴机构;公立大学法人大阪府立大学 | 发明人 | 佐藤和朗;四谷任;石田武和;三木茂人 |
| 分类号 | G01T3/04(2006.01);H01L39/00(2006.01);G01T1/26(2006.01) | 主分类号 | G01T3/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种中子检测装置，其中，具备多个中子检测元件部，该中子检测元件部具有：超导元件，其具有至少一个表面由电介质材料形成的基体材料、在上述表面上形成的超导材料的带状线、以及在上述带状线的两端部分形成的电极部；电阻测定单元，利用上述带状线的电阻值的变化来测定因上述带状线中的超导元素与中子的核反应引起的发热；以及散热设定单元，在与形成有上述带状线的上述表面相反一侧的上述基体材料的背面部，设定因上述核反应引起的发热的散热性，在上述中子检测元件部之间，使上述散热性不同。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||