横向PNP型三极管结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种横向PNP型三极管及其制造方法，在P型发射区和N型埋层之间设置二氧化硅埋层；其制造方法是在N型外延层生长完成之后，紧接着在N型外延层中局部注入氧离子，注入氧离子的位置在N型埋层和将要形成的P型发射区之间，注入的氧离子在后续的热过程中可使得N型埋层和P型发射区之间形成局部二氧化硅埋层。本发明所提供的方法制造的横向PNP型三极管，可以提高集电极的收集效率和三极管的电流增益。

主权项

1.一种横向PNP型三极管，包括P型衬底、P型衬底上的N型埋层、N型外延层中的P型发射区、P型的集电区和N型基区，N型基区和P型集电区之间有场氧隔离区，其特征是，在P型发射区和N型埋层之间设置二氧化硅埋层。