发明名称 |
低温多晶硅薄膜制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种低温多晶硅薄膜制造方法,其包括下列步骤:a.提供一衬底,在该衬底上形成一非晶硅薄膜;b.提供一准分子激光发生器,其射出一面光源脉冲激光束,该面光源脉冲激光束照射该非晶硅薄膜形成一照射区域,该照射区域处于熔融状态;c.该准分子激光发生器移动一小距离,使该面光源脉冲激光束照射该非晶硅薄膜上形成另一照射区域,该两照射区域间形成一间隔区域;d.重复步骤c,在该非晶硅薄膜上形成多个照射区域和多个间隔区域。此方法能节省照射时间,可增大所形成的低温多晶硅薄膜的晶粒尺寸,提高该低温多晶硅薄膜的电子迁移率。 |
申请公布号 |
CN101168474A |
申请公布日期 |
2008.04.30 |
申请号 |
CN200610063347.6 |
申请日期 |
2006.10.27 |
申请人 |
群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司 |
发明人 |
颜硕廷 |
分类号 |
C03C17/22(2006.01);C30B28/08(2006.01);C30B29/06(2006.01) |
主分类号 |
C03C17/22(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种低温多晶硅薄膜制造方法,其包括下列步骤:a.提供一衬底,在该衬底上形成一非晶硅薄膜;b.提供一准分子激光发生器,其射出一面光源脉冲激光束,该面光源脉冲激光束照射该非晶硅薄膜形成一照射区域,该照射区域处于熔融状态;c.该准分子激光发生器移动一小距离,使该面光源脉冲激光束照射该非晶硅薄膜上形成另一照射区域,该两照射区域间形成一间隔区域;d.重复步骤c,在该非晶硅薄膜上形成多个照射区域和多个间隔区域。 |
地址 |
518109广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层 |