| 发明名称 | 光伏型多量子阱红外探测器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种光伏型多量子阱红外探测器，该探测器由SOI晶片，键合在SOI晶片上的光导型多量子阱红外探测器组成。所说的SOI晶片是一种通过高能粒子辐照处理后，在埋氧层中产生固定电荷的晶片。所说的光导型多量子阱红外探测器为GaAs/AlGaAs、GaAs/InGaAs或Si/GeSi多量子阱红外探测器。本发明的优点在于：该探测器不仅具备了光导型多量子阱红外探测器的基本优越性能，同时也解决了光导探测器暗电流较大的缺陷，从而进一步提高了器件的性能。同时，器件的制备也比较简单、易于操作。 | ||
| 申请公布号 | CN101170148A | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
| 申请号 | CN200710171387.7 | 申请日期 | 2007.11.30 |
| 申请人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明人 | 陆卫;王文娟;甄红楼;李天信;陈平平;张波;李宁;李志锋;陈效双 |
| 分类号 | H01L31/111(2006.01) | 主分类号 | H01L31/111(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 郭英 |
| 主权项 | 1.一种光伏型多量子阱红外探测器，其特征在于：该探测器由SOI晶片(1)，键合在SOI晶片的顶层Si(103)上的光导型多量子阱红外探测器(2)组成；所说的SOI晶片是一种通过高能粒子辐照处理后，在埋氧层(102)中产生固定电荷的晶片。 | ||
| 地址 | 200083上海市玉田路500号 | ||