| 发明名称 | 具有高分辨率电阻尖端的半导体探针和制造其的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体探针及其制造方法。所述半导体探针包括：用第一杂质掺杂的悬臂；从所述悬臂的一端突出且用第二杂质轻掺杂的电阻尖端；形成于所述电阻尖端的突出部分的两侧上的掺杂控制层；和形成于所述掺杂控制层下且用所述第二杂质重掺杂而形成的第一和第二电极区。 | ||
| 申请公布号 | CN101169981A | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
| 申请号 | CN200610142809.3 | 申请日期 | 2006.10.26 |
| 申请人 | 三星电子株式会社;首尔国立大学校产学协力财团 | 发明人 | 丁柱焕;金俊秀;申炯澈;洪承范 |
| 分类号 | G12B21/02(2006.01);G11B9/00(2006.01) | 主分类号 | G12B21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种半导体探针，包括：用第一杂质掺杂的悬臂；从所述悬臂的一端突出且用第二杂质轻掺杂的电阻尖端；形成于所述电阻尖端的突出部分的两侧上的掺杂控制层；和形成于所述掺杂控制层下且用所述第二杂质重掺杂而形成的第一和第二电极区。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||