| 发明名称 | 半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体发光器件及其制造方法。本发明以低成本和高成品率提供并制造了一种半导体发光器件，该器件允许发射层中产生的光不仅从其顶部表面而且从其侧表面发出，并且该器件具有高亮度。AlGaInP基半导体发光器件具有设置在发射层(3)和对来自发射层(3)的发射波长透明的透明衬底(2)之间的由(Al<SUB>y</SUB>Ga<SUB>1-y</SUB>)<SUB>z</SUB>In<SUB>1-z</SUB>P(0≤y≤1，0＜z＜1)制成的接触层(8)。 | ||
| 申请公布号 | CN100385692C | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
| 申请号 | CN200410090081.5 | 申请日期 | 2004.11.01 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 仓桥孝尚;村上哲朗;大山尚一;中津弘志 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种AlGaInP基半导体发光器件，其包括设置在一发射层和对来自所述发射层的发射波长透明的一透明衬底之间的由(AlyGa1-y)zIn1-zP制成的接触层，其中0≤y≤1，0＜z＜1，且所述接触层中In的相对比例为7％至12％。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||