发明名称 |
一种新型ITO公共电极和扫描线结构 |
摘要 |
针对现有的液晶显示装置中的不覆盖和全覆盖上ITO公共电极的结构所遇到的扫描线电场对周围结构有影响和开口率低的问题,本实用新型提供了一种新型的ITO公共电极与扫描线的结构,该结构中ITO公共电极覆盖扫描线的一部分,优选地,ITO公共电极覆盖靠近像素开口区域的一部分扫描线,以屏蔽扫描线上的电场的影响,相对于全覆盖的情况,这种结构中,ITO公共电极与扫描线形成的电容较小,从而可以增大扫描线的电阻、减少扫描线的宽度,而使开口率提高。 |
申请公布号 |
CN201054061Y |
申请公布日期 |
2008.04.30 |
申请号 |
CN200620162563.1 |
申请日期 |
2006.12.30 |
申请人 |
上海广电NEC液晶显示器有限公司 |
发明人 |
马群刚 |
分类号 |
G02F1/1343(2006.01);G02F1/133(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/1343(2006.01) |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 |
代理人 |
王茂华 |
主权项 |
1.一种液晶显示装置中的ITO公共电极和扫描线结构,包括ITO公共电极和扫描线,其特征在于ITO公共电极覆盖扫描线的一部分。 |
地址 |
201108上海市闵行区华宁路3388号 |