发明名称 |
一氧化铌粉、一氧化铌烧结体以及使用一氧化铌烧结体的电容器 |
摘要 |
本发明提供(1)由式:NbOx(x=0.8~1.2)表示,并可含有50~200,000ppm的其他元素,振实密度为0.5~2.5g/ml,平均粒径为10~1000μm,休止角为10~60度,BET比表面积为0.5~40m<SUP>2</SUP>/g,孔径分布具有多个孔径峰值的电容器用一氧化铌粉及其制造方法;(2)烧结上述一氧化铌粉得到的,在0.01μm~500μm范围内具有多个孔径峰值,优选在多个孔径峰值内,相对强度最大的两个峰的峰值分别处于0.2~0.7μm及0.7~3μm范围,相对强度最大的峰的峰值比相对强度其次大的峰的峰值处于大直径侧的一氧化铌粉及其制造方法;(3)使用上述烧结体的电容器及其制造方法;(4)使用上述电容器的电子电路及电子仪器。 |
申请公布号 |
CN100383900C |
申请公布日期 |
2008.04.23 |
申请号 |
CN02801681.5 |
申请日期 |
2002.05.14 |
申请人 |
昭和电工株式会社 |
发明人 |
大森和弘;内藤一美;川崎俊哉;和田紘一 |
分类号 |
H01G9/04(2006.01);H01G9/052(2006.01);C01G33/00(2006.01);C04B35/00(2006.01) |
主分类号 |
H01G9/04(2006.01) |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 |
代理人 |
段承恩;陈海红 |
主权项 |
1.一种电容器用一氧化铌粉,由式:NbOx表示,其中x=0.8~1.2,并且振实密度为0.5~2.5g/ml。 |
地址 |
日本东京都 |