| 发明名称 | 层排列形成方法及层排列 | ||
| 摘要 | 本发明系一种层排列的形成方法，这种方法的步骤依序是在一个基材上设置多个导电结构、在这些导电结构上设置第一个电绝缘层、在这些导电结构上设置第一个电绝缘层，以便在第一个电绝缘层的彼此相邻的区域之间形成作为确定要形成的支撑结构的区域用的沟槽、在位于第一个电绝缘层的相邻区域之间的沟槽中形成电绝缘结构、去除第一个电绝缘层的材料，以便电绝缘结构及导电结构之间形成气隙(Airgap)、以及在导电结构及电绝缘结构上设置第二个电绝缘层，以便以这个第二个电绝缘层将相邻的导电结构及电绝缘结构覆盖住。 | ||
| 申请公布号 | CN100383953C | 申请公布日期 | 2008.04.23 |
| 申请号 | CN200510088262.9 | 申请日期 | 2005.08.02 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | G·欣德勒;W·帕姆勒 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L23/52(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;梁永 |
| 主权项 | 1.一种层排列的形成方法，这种方法的步骤为：在一个基材上设置多个导电结构，其系经由在基材上形成多个第一沟槽，将导电材料填入该等第一沟槽中，以在该等第一沟槽中形成导电结构，以及将位于该等导电结构之间的基材材料去除掉，以便在相邻的导电结构之间形成位于基材中的第二沟槽；在这些导电结构上设置第一个电绝缘层，以便在第一个电绝缘层的相邻的区域之间形成作为确定要形成的支撑结构的区域用的第三沟槽；在位于第一个电绝缘层的相邻区域之间的第三沟槽中形成电绝缘结构；去除第一个电绝缘层的材料，以便电绝缘结构及导电结构之间形成气隙；其中该等电绝缘结构的底部区域埋设在该第一个电绝缘层的剩余的材料中；以及在导电结构及电绝缘结构上设置第二个电绝缘层，以便以这个第二个电绝缘层将相邻的导电结构及电绝缘结构覆盖住。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||