| 发明名称 | 高频多层片式陶瓷电容器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高频片式多层陶瓷电容器及其制造方法，包括：镍或镍合金的内电极(1)、与内电极交叉叠层的介质层(2)以及与导出的内电极(1)相连接的铜或铜合金端电极(3)，其中，介质层(2)采用抗还原的高频特性的瓷料，介质层层数为20～1000层，烧后介质层的厚度为0.8～25μm，内电极(1)烧后的厚度为0.6～2.0μm。本发明可生产出高层数、薄层化的高频片式多层陶瓷电容器，并能大大降低生产成本，具有良好的介电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN100383899C | 申请公布日期 | 2008.04.23 |
| 申请号 | CN03113718.0 | 申请日期 | 2003.01.30 |
| 申请人 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 发明人 | 曾拥华;张伟雄;李筱瑜;李孔俊 |
| 分类号 | H01G4/12(2006.01);H01G4/005(2006.01);H01G4/008(2006.01);H01G4/30(2006.01);H01G13/00(2006.01) | 主分类号 | H01G4/12(2006.01) |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人 | 戴建波 |
| 主权项 | 1.一种制造高频片式多层陶瓷电容器的方法，包括以下步骤：(1)将介质材料在稳定的速度下滚磨一段时间使其充分混合，形成瓷浆，将制得的瓷浆进行流延、印刷、叠片、层压切割成生片；(2)将制得的生片在N2气氛的保护下进行排胶；(3)将排胶后的生片在还原性N2气氛中于1250～1400℃下进行烧结，然后在氧化性N2气氛中进行回火处理，得到烧结后的芯片；(4)将上述烧结后的芯片进行倒角、封端；(5)将上述封端后的芯片在N2气氛保护下进行烧端；(6)在上述烧端后所得芯片的端电极上镀上镍层和锡层，制得所述的高频片式多层陶瓷电容器。 | ||
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