| 发明名称 | 三维纳米级交叉杆 | ||
| 摘要 | 本发明的多个实施例包括三维的、至少部分为纳米级的电子电路和装置，其中可以在三个独立的方向上路由(1016)信号，并且其中可以在通过内部信号线(502－509和702－709)互连的结(510，802)处制备电子部件。所述三维的、至少部分为纳米级的电子电路和装置包括层，纳米线或微米级或亚微米级/纳米线结，其每一个可被经济和有效地制备为一种类型的电子部件。本发明的多个实施例包括纳米级存储器，纳米级可编程阵列，纳米级多路复用器和多路分离器，以及几乎不限数量的专用纳米级电路和纳米级电子部件。 | ||
| 申请公布号 | CN101167137A | 申请公布日期 | 2008.04.23 |
| 申请号 | CN200680013948.4 | 申请日期 | 2006.04.25 |
| 申请人 | 惠普开发有限公司 | 发明人 | R·S·威廉斯;P·J·屈克斯 |
| 分类号 | G11C13/02(2006.01) | 主分类号 | G11C13/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;陈景峻 |
| 主权项 | 1.一种三维纳米级电子装置，包括：第一功能层，包括纳米线(502-509)和第一类型的纳米线结(510)；以及一个或多个附加功能层，包括纳米线(702-709)和一个或多个附加类型的纳米线结(802)，第一功能层和一个或多个附加功能层通过纳米线、纳米线结、微米级信号线、以及亚微米级信号线的一个或多个互连。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||