| 发明名称 | 非易失性半导体存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明的一个方面，提供了一种非易失性半导体存储装置，包括：衬底；柱状半导体，被设置为垂直于所述衬底；电荷存储叠层膜，被设置在所述柱状半导体周围；第一导体层，其与所述电荷存储叠层膜接触并具有第一端部分，所述第一端部分具有第一端面；第二导体层，其与所述电荷存储叠层膜接触，与所述第一导体层分离并具有第二端部分，所述第二端部分具有第二端面；第一接触插塞，被设置在所述第一端面上；以及第二接触插塞，被设置在所述第二端面上。 | ||
| 申请公布号 | CN101165909A | 申请公布日期 | 2008.04.23 |
| 申请号 | CN200710193000.8 | 申请日期 | 2007.10.17 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 鬼头杰;井上裕文 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种非易失性半导体存储装置，包括：衬底；绝缘层，被设置在所述衬底上；柱状半导体，被设置为垂直于所述衬底；叠层膜，包括： 第一绝缘膜，被设置在所述柱状半导体周围，电荷存储膜，被设置在所述第一绝缘膜周围，和第二绝缘膜，被设置在所述电荷存储膜周围；第一导体层，被设置在所述绝缘层上并与所述叠层膜接触；第一层间绝缘层，被设置在所述第一导体层上；第二导体层，被设置在所述第一层间绝缘层上并与所述叠层膜接触；第一接触插塞，被连接到所述第一导体层；以及第二接触插塞，被连接到所述第二导体层；其中所述第一导体层包括向上弯曲的第一端部分；其中所述第二导体层包括向上弯曲的第二端部分；其中所述第一端部分包括第一端面；其中所述第二端部分包括第二端面；其中所述第一接触插塞被设置在所述第一端面上；以及其中所述第二接触插塞被设置在所述第二端面上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||