半导体存储器件

摘要

本发明公开了一种半导体存储器件，包含分别能对信息进行电改写，并且行方向地址连续的第一、第二、第三存储单元晶体管。第一、第二、第三传输晶体管的电流通路的一端分别与第一、第二、第三存储单元晶体管的控制电极连接。在第一、第二、第三传输晶体管的电流通路的另一端上分别外加写入电压、通过电压、第一电压。通过电压比写入电压低，第一电压比通过电压低。第一控制部在第一、第二传输晶体管的栅极上外加用于使第一、第二传输晶体管导通的第一导通电压。第二控制部在第三传输晶体管的栅极上外加用于使第三传输晶体管导通的、与第一导通电压不同的第二导通电压。

主权项

1.一种半导体存储器件，其特征在于：包括：分别能对信息进行电改写，并且地址连续的第一、第二、第三存储单元晶体管；电流通路的一端与所述第一存储单元晶体管的控制电极连接，并且在另一端上外加写入电压的第一传输晶体管；电流通路的一端与所述第二存储单元晶体管的控制电极连接，并且在另一端上外加比所述写入电压低的第一电压的第二传输晶体管；电流通路的一端与所述第三存储单元晶体管的控制电极连接，并且在另一端上外加比所述写入电压低且比所述第一电压高的通过电压的第三传输晶体管；在所述第一、第三传输晶体管的栅极上外加用于使第一、第三传输晶体管导通的第一导通电压的第一控制部；在所述第二传输晶体管的栅极上外加用于使所述第二传输晶体管导通的比所述第一导通电压低的第二导通电压的第二控制部。