爆炸合成纳米聚晶金刚石的方法及专用爆炸装置

摘要

本发明公开一种生产工艺简单、生产效率高，适应于芯片抛光用的30～90nm聚晶金刚石的爆炸合成方法及专用爆炸装置，其方法包括如下步骤：制密度为3～4g/cm³；将石墨压实体置于飞片厚度为4.7～6mm的爆炸装置下方，架高为50～65mm；引爆爆炸装置，爆炸装置炸药柱的爆炸速度应使飞片以3350～3640m/s的飞行速度撞击石墨压实体；粉末压力p、粉末温度T满足下列要求(按德拜理论计算)：5×10⁴MPa≤p≤7.5×10⁴MPa，1900°K≤T≤2150°K；回收石墨灰，对石墨灰筛选、冲洗、化学后处理。爆炸装置设有炸药柱(1)，在炸药柱(1)的下面有飞片(2)，在炸药柱(1)的上面有引爆雷管(3)，在炸药柱(1)的内部上端居中置有惰性块(4)。

主权项

1.一种爆炸合成纳米聚晶金刚石的方法，其特征在于如下步骤：a.制密度为3～4g/cm3的石墨压实体；b.将石墨压实体置于飞片厚度为4.7～6mm的爆炸装置下方，架高为50～65mm；c.引爆爆炸装置，飞片以3350～3640m/s的飞行速度撞击石墨压实体，使粉末压力p、粉末温度T为：5×104Mpa≤p≤7.5×104Mpa，1900°K≤T≤2150°K；d.回收石墨灰，对石墨灰筛选、冲洗、化学后处理。