TFT衬底及其制造方法、以及具有该TFT衬底的显示装置

摘要

在形成TFT和存储电容元件的情况下，彼此兼用构成TFT和存储电容元件的导电膜或绝缘膜有助于提高生产效率，但是，与TFT独立地得到最优化的存储电容元件是苦难的。在本发明的具有TFT和存储电容元件的TFT衬底中，能够得到包括与TFT中所使用的电极或者绝缘膜不同的导电膜或者绝缘膜的存储电容元件。并且，提供一种不需为了得到这样的结构而追加照相制版步骤就能提高设计的自由度和生产效率这二者的TFT衬底的制造方法。

主权项

1.一种TFT衬底，具有薄膜晶体管和存储电容元件，其特征在于，所述薄膜晶体管具有：半导体层；与所述半导体层在膜厚方向对置的栅电极；被所述半导体层和所述栅电极夹持地配置的栅极绝缘膜；与所述半导体层电连接的源极漏极布线和像素电极，所述存储电容元件具有：由与所述栅电极相同层的导电膜构成的第一电容电极；位于第一电容电极上的电介质层；第二电容电极，位于所述电介质层上，具有与所述电介质层相同的形状，隔着所述电介质层与所述第一电容电极对置，所述第二电容电极由与所述源极漏极布线、所述像素电极不同的层形成。