芯片级硅穿孔散热方法及其结构

摘要

本发明涉及一种芯片级硅穿孔散热方法及其结构，适用于高集成度集成电路芯片及相关功率分立器件芯片的散热。该方法包括以下工艺步骤：一、于倒装裸芯片背面采用激光打孔及蚀刻法对芯片硅材料穿盲孔，其中该盲孔位于所述芯片焊垫金属区上方，二、就硅穿孔部位及芯片背面进行金属膜制作，使穿孔区及芯片背面形成金属膜层，三、就穿孔区及芯片背面进行电镀工艺，使穿孔区及芯片背面形成导热金属层。本发明改变传统间接散热方式，以倒装封装工艺，使裸芯片经硅穿孔后充填金属或导热胶等，使芯片直接散热。该直接散热方式芯片热量散发快，芯片性能稳定，使用寿命长。

主权项

1.一种芯片级硅穿孔散热方法，其特征在于：该方法包括以下工艺步骤：步骤一、于倒装裸芯片背面采用激光打孔及蚀刻法对芯片硅材料穿盲孔，其中该盲孔位于所述芯片焊垫金属区上方，步骤二、就硅穿孔部位及芯片背面进行金属膜制作，使穿孔区及芯片背面形成金属膜层，步骤三、就穿孔区及芯片背面进行电镀工艺，使穿孔区及芯片背面形成导热金属层。