| 发明名称 |
Method of manufacturing integrated circuits comprising at least one silicon germanium heterobipolar transistor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1688989(B1) |
申请公布日期 |
2008.04.23 |
| 申请号 |
EP20060001686 |
申请日期 |
2006.01.27 |
| 申请人 |
ATMEL GERMANY GMBH |
发明人 |
BRANDL, PETER, DIPL.-ING. |
| 分类号 |
H01L21/331;H01L21/3105;H01L29/737 |
主分类号 |
H01L21/331 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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