发明名称 | MIM电容器之形成方法 | ||
摘要 | 一种MIM电容器的形成方法,用于改善泄漏电流特性。本发明之MIM电容器之形成方法,其包含下列之步骤:提供形成有包含金属图样之基层之半导体基板;将用于下部电极之第1金属层沉积在基层上;为了改进第1金属层之表面粗糙度并防止其氧化,将第1中间层沉积在第1金属层上;将高介电常数之电介质层沉积在第1中间层之上;为了增加带隙能量将一第2中间层沉积在所述高介电常数的电介质层之上;将用于上部电极之第2金属层沉积在第2中间层之上;藉由对所述第2金属层、第2氮化物层、电介质层及第1中间层刻画图样,完成上部电极;并且藉由对第1金属层刻画图样完成下部电极。 | ||
申请公布号 | CN100383898C | 申请公布日期 | 2008.04.23 |
申请号 | CN02160889.X | 申请日期 | 2002.12.31 |
申请人 | 美格纳半导体有限会社 | 发明人 | 郑贰善 |
分类号 | H01G4/10(2006.01) | 主分类号 | H01G4/10(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 杨梧;马高平 |
主权项 | 1.一种MIM电容器的形成方法,其特征在于,其包含下列步骤:提供一形成有含有金属图样之基层的半导体基板;将被用为下部电极的一第1金属层沉积在所述基层上;为了改进所述第1金属层之表面粗糙度并防止其氧化,将一第1中间层沉积在所述第1金属层上;将电介质层沉积在所述第1中间层上;为了增加带隙能量,将一第2中间层沉积在所述电介质层上,其中所述第二中间层的带隙能量大于所述电介质层的带隙能量;将用为上部电极的一第2金属层沉积在所述第2中间层上;藉由对所述第2金属层、第2中间层、电介质层及第1中间层刻画图样,完成上部电极;以及藉由对所述第1金属层刻画图样,完成下部电极。 | ||
地址 | 韩国忠清北道 |