| 发明名称 | 半导体处理装置及其使用方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体处理装置及其使用方法，该半导体处理装置的使用方法包括：将氧化性气体和还原性气体供给没有收容产品用被处理基板的所述处理装置的处理容器内的工序；在所述处理容器内，在所述氧化性气体和所述还原性气体活化的第一环境下，使所述氧化性气体及所述还原性气体反应，产生活性种的工序；和使用所述活性种，从所述处理容器的所述内面除去污染物质的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101165207A | 申请公布日期 | 2008.04.23 |
| 申请号 | CN200710181202.0 | 申请日期 | 2007.10.19 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 富田正彦;梅泽好太;孙亮;西村俊治 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01);C23C16/52(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | C23C16/44(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体处理装置的使用方法，其特征在于，包括：将氧化性气体和还原性气体供给没有收容产品用被处理基板的所述处理装置的处理容器内的工序；在所述处理容器内，在所述氧化性气体和所述还原性气体活化的第一环境下，使所述氧化性气体和所述还原性气体反应，产生活性种的工序；和使用所述活性种，从所述处理容器的所述内面除去污染物质的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||