发明名称 量子库太阳能电池及其制备方法
摘要 一种量子库太阳能电池,由半导体衬底、扩散层和上、下电极构成,在所述的半导体衬底层上设有和半导体衬底导电类型相同的轻掺杂的外延层,在该外延层上设有肋:所述的肋为长条状结构,包括多条平行的竖肋和至少有一条横肋,横肋贯穿连接多条平行的竖肋;竖肋和横肋围成的区间为肋区间;在所述的长条状的肋上设有:和外延层导电类型相反的纳米离子注入层、和离子注入层导电类型相反的高掺杂层,高掺杂层覆盖在纳米离子注入层上,在高掺杂层上覆盖有金属层;上电极引线连接在横肋上的金属层上;所述扩散层设置在整个肋间区内,其导电类型与外延层的导电类型相反,该扩散层上设有氧化层;同时,在上、下电极之间外加有背场电压。
申请公布号 CN101167192A 申请公布日期 2008.04.23
申请号 CN200680011194.9 申请日期 2006.08.14
申请人 陈钟谋 发明人 陈钟谋
分类号 H01L31/042(2006.01);H01L31/18(2006.01) 主分类号 H01L31/042(2006.01)
代理机构 南京知识律师事务所 代理人 樊文红
主权项 1.一种量子库太阳能电池,由半导体衬底、扩散层和上、下电极构成,其特征在于,在所述的半导体衬底层上设有和半导体衬底导电类型相同的轻掺杂的外延层,在该外延层上设有肋:所述的肋为长条状结构,包括多条平行的竖肋和至少有一条横肋,横肋贯穿连接多条平行的竖肋;竖肋和横肋围成的区间为肋区间;在所述的长条状的肋上设有:和外延层导电类型相反的纳米离子注入层、和离子注入层导电类型相反的高掺杂层,高掺杂层覆盖在纳米离子注入层上,在高掺杂层上覆盖有金属层;上电极引线连接在横肋上的金属层上;所述扩散层设置在整个肋间区内,其导电类型与外延层的导电类型相反,该扩散层上设有氧化层;同时,在上、下电极之间外加有背场电压。
地址 210036江苏省南京市中山东路524号55所