存储器元件及阵列、接触结构的制法及制得的装置与元件

摘要

本发明将I形及L形接触结构及其制造方法应用到半导体元件上，且在某些情形下应用到相变型非易失存储元件上。以这些方法制造的I形及L形接触结构只占相当小的主动面积，而此可控制接触结构尺寸的方法是应用传统的半导体沉积与蚀刻步骤来达成，故其再现性甚佳。

主权项

1.一种接触结构的制造方法，其特征是包括：在具有下导电结构的基底上方沉积垫材料；蚀刻该垫材料以形成具多个侧壁的至少一个支撑结构；于该至少一个支撑结构上方沉积一层第一材料；使该第一材料形成至少一个I形接触结构，其位于上述这些侧壁中的至少一个上，且具有与该下导电结构电连接的下端及与该下端相对的上端；以及在该至少一个I形接触结构上方形成上导电结构，其与该至少一个I形接触结构的该上端电连接，其中该I形接触结构的顶面的面积是由该I形接触结构的厚度与该上导电结构的宽度所定义。