包括双扩散结区的非易失性存储器件及其制造方法

摘要

非易失性存储器件包括在半导体衬底上的串选择栅极和地选择栅极，以及在串选择栅极和地选择栅极之间的衬底上的多个存储单元栅极。在多个存储单元栅极中的各个存储单元栅极之间，第一杂质区延伸到衬底中直至第一深度。在串选择栅极和与其紧邻的多个存储单元栅极中的第一个存储单元栅极之间、以及地选择栅极和与其紧邻的多个存储单元栅极中的最后一个存储单元栅极之间，第二杂质区延伸到衬底中直至大于第一深度的第二深度。还说明了相关制造方法。

主权项

1.一种非易失性存储器件，其包括：半导体衬底，其上包括器件隔离区，所述器件隔离区限定了其间的有源区；在所述衬底的有源区上的串选择栅极和地选择栅极；在所述串选择栅极和地选择栅极之间的有源区上的多个存储单元栅极；第一杂质区，其在所述多个存储单元栅极之间的部分有源区中，延伸到所述有源区中直至第一深度；以及第二杂质区，其在所述串选择栅极和与其紧邻的所述多个存储单元栅极中的第一个存储单元栅极之间的部分有源区中、以及在所述地选择栅极和与其紧邻的所述多个存储单元栅极中的最后一个存储单元栅极之间的部分有源区中，延伸到所述有源区中直至大于所述第一深度的第二深度。