发明名称 |
光半导体器件及光半导体器件的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种可以防止因接合构件爬到光半导体元件上而产生的短路故障的光半导体器件。在光半导体器件(1A)中,具备:光半导体元件(2),具有设置在第一主面(M1)上的发光层(2c)、设置在发光层(2c)上且小于第一主面(M1)的第一电极(2e)、及设置在与第一主面(M1)不同的第二主面(M2)上的第二电极(2g);第一引脚部(4),具有接合第一电极(2e)的区域中的小于第一主面(M1)的接合区域(R1)、和形成在与接合区域(R1)邻接的外周区域(R2)上的第一槽部(4b),第一电极(2e)利用接合构件(3)与接合区域(R1)接合,第一引脚部(4)电连接在第一电极(2e)上;以及第二引脚部,利用连接构件电连接在第二电极(2g)上。 |
申请公布号 |
CN101165929A |
申请公布日期 |
2008.04.23 |
申请号 |
CN200710166818.0 |
申请日期 |
2007.10.18 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
下川一生;浮田康成 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L21/60(2006.01) |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01) |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
胡建新 |
主权项 |
1.一种光半导体器件,其特征在于,具备:光半导体元件,具有设置在第一主面上的发光层、设置在上述发光层上且小于上述第一主面的第一电极、及设置在与上述第一主面不同的第二主面上的第二电极;第一引脚部,具有接合上述第一电极的区域中小于上述第一主面的接合区域、和形成在与上述接合区域相邻接的外周区域的第一槽部,上述第一电极利用接合构件接合在上述接合区域,该第一引脚部与上述第一电极电连接;以及第二引脚部,通过连接构件与上述第二电极电连接。 |
地址 |
日本东京都 |