发明名称 降低与记录介质碰撞的概率的读写头滑块及其制造方法
摘要 本发明提供了一种降低与记录介质碰撞的概率的读写头滑块及其制造方法。所述读写头滑块使厚度为第一厚度的第一保护膜覆盖在轨道的顶表面上。厚度为所述第一厚度的第二保护膜在所述轨道的下游位置处覆盖在绝缘非磁性膜上。厚度为小于所述第一厚度的第二厚度的第三保护膜在所述轨道的下游位置处覆盖在读写头元件的写间隙上。即使在所述读写头元件从所述绝缘非磁性膜的表面突起时,也可以防止所述第三保护膜超过所述第一保护膜和所述第二保护膜而与记录介质靠得更近。防止了所述读写头元件与所述记录介质相接触。其结果是避免了所述读写头滑块的损坏。
申请公布号 CN101165781A 申请公布日期 2008.04.23
申请号 CN200710107424.8 申请日期 2007.05.11
申请人 富士通株式会社 发明人 龟山正毅
分类号 G11B5/60(2006.01);G11B21/21(2006.01) 主分类号 G11B5/60(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 李辉;吕俊刚
主权项 1.一种读写头滑块,该读写头滑块包括:滑块体,其限定了以某一距离与记录介质相对的介质相对表面;绝缘非磁性膜,其覆盖在所述滑块体的流出端表面上;轨道,其形成在所述滑块体的所述介质相对表面上,该轨道延伸到所述滑块体的流出端;读写头元件,其在所述轨道的下游位置处嵌入在所述绝缘非磁性膜中,该读写头元件至少具有在所述绝缘非磁性膜的表面处暴露的写间隙;第一保护膜,其厚度为第一厚度,该第一保护膜覆盖在所述轨道的顶表面上;第二保护膜,其厚度为所述第一厚度,该第二保护膜在所述轨道的下游位置处与所述第一保护膜连续地形成在所述绝缘非磁性膜的所述表面上;以及第三保护膜,其厚度为小于所述第一厚度的第二厚度,该第三保护膜在所述轨道的下游位置处覆盖在所述写间隙上。
地址 日本神奈川县川崎市
您可能感兴趣的专利