| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括具有有源区和栅极区的半导体基板、以及栅极通道，所述栅极通道形成于所述有源区的与所述栅极区重叠的一部分中。所述栅极通道包括凹式多球状结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101165914A | 申请公布日期 | 2008.04.23 |
| 申请号 | CN200710129484.X | 申请日期 | 2007.07.19 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金正三 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L29/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾红霞;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：具有凹式多球状结构的栅极通道。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||